- Цели и задачи дисциплины
- Формирование у студентов комплекса профессиональных знаний и умений, а также усвоение физических процессов воздействия радиации на материалы электронной техники, электронные приборы и микросхемы. По окончанию освоения дисциплины обучающийся должен знать физическую природу процессов дефектообразования и легирования полупроводниковых материалов, используемых в электронной технике и интегральных микросхемах; пути реализации радиационной стойкости материалов для оптоэлектронных устройств; уметь теоретически исследовать процессы радиационных повреждений облученных полупроводниковых структур и интегральных микросхем; владеть навыками расчета радиационного воздействия и характеристик и радиационной стойкости материалов, электронных приборов и интегральных микросхем.
- Краткое содержание дисциплины
- Данный курс является теоретическим курсом, в котором излагаются основы взаимодействия ионизирующего излучения с веществом; объясняются процессы образования, диффузии и отжига дефектов, а также радиационного легирования; рассматриваются радиационные свойства материалов, оптоэлектронных приборов и интегральных микросхем, а также пути реализации их радиационной стойкости и методы детектирования радиации.
- Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины
- Выпускник должен обладать:
- ПК-3 Способен к организации, проведению и руководству экспериментальными исследованиями с применением современных средств и методов
- Образование
- Учебный план
- Радиационные технологии в электронике