六月 2026

В Южно-Уральском государственном университете состоялось заседание Ученого совета с участием представителей ведущих промышленных предприятий региона. Впервые в обсуждении стратегических вопросов развития вуза приняли участие индустриальные партнеры университета.

30 мая в Южно-Уральском государственном университете прошло торжественное награждение призёров и победителей Многопрофильной инженерной олимпиады «Звезда» по направлениям «Естественные науки» и «Техника и технологии».

由南乌拉尔国立大学（ЮУрГУ）科学家鲍里斯·波列沃伊、德米特里·热列布佐夫、德米特里·日武林、丹尼尔·涅纳罗科莫夫、亚历山大·沃龙佐夫与莫斯科的德米特里·戈多维茨基组成的科研团队，提出了一种基于硫化镉与硫化铅的光阻薄膜制备技术，采用真空沉积法实现。

所谓光阻效应，是指材料在黑暗中导电性弱，而在光照下导电性显著增强——光照越强，电阻越低。现代工程师从中看到了信息技术的巨大潜力：若将光阻材料制成薄膜（例如沉积在硅衬底上），即可制成可用光束控制的“芯片”，或对环境状态做出响应的传感器。

已知两种光阻材料：硫化铅与硫化镉，各有专长。硫化铅是可见光及近红外光谱区灵敏度最高的材料之一；而硫化镉则在蓝绿光谱段表现优异。

能否将二者优势结合？为此需要制备这两种硫化物的“固溶体”。通过调节硫化铅与硫化镉的比例，可获得针对特定光谱段“定制”的薄膜成分。

化学合成此类薄膜在电子工艺中并不便利。因此，这组乌拉尔科学家建议使用真空法——磁控溅射与电子束蒸发，这些方法最适用于现代芯片制造。

在实验中，科学家们制备了两类薄膜：

直流磁控溅射法：将含4%镉的薄膜沉积在微晶玻璃（玻璃陶瓷）与氧化硅衬底上，厚度范围为50至500纳米。电子束蒸发法（作为对照）：在同类样品上沉积含12%镉的薄膜。